华中科技大学与湖北九峰山实验室联手攻克高端光刻胶技术瓶颈

4月2日最新报道，华中科技大学携手湖北九峰山实验室的研究团队取得重大科研突破，成功研发出一种基于“双非离子型光酸协同增强响应机制”的化学放大光刻胶技术，并在权威期刊《化学工程杂志》上发表了相关研究成果。

据了解，此项自主研发的光刻胶技术体系，经过严谨的研发阶段，已在实际生产线上进行了初步工艺验证，并对各项关键技术指标进行了深度优化和完善，标志着从实验室技术研发到工业化成果转化的全过程壁垒已被有效打破，预示着我国在高端半导体材料领域自主创新的又一重要进展。

光刻胶作为半导体芯片制造的核心物料，其精细度、稳定性和普适性直接决定了集成电路的电学性能、良品率和可靠性。然而，面对纳米级半导体制造工艺对光刻胶提出的极高要求，市场上能够满足100纳米乃至更小制程尺寸，兼具优异分辨率、平整光滑的线边缘粗糙度和宽工艺窗口的光刻胶产品寥寥无几。

华中科技大学与湖北九峰山实验室的研究团队通过独创的化学结构设计理念，引入两种特定光敏单元，构建了一种前所未有的“双非离子型光酸协同反应”光刻胶系统，不仅显著提高了光刻图形的分辨率和边缘质量，使得space图案的宽度值正态分布标准差缩小至惊人的0.05左右，远胜于市面上多数同类商用产品，而且确保了光刻显影过程中的时间和效率符合现代半导体大规模量产对于高吞吐量和高效能生产的严格标准。

这项创新成果不仅破解了当前半导体微细加工工艺中光刻制造面临的共性挑战，为解决微纳尺度图形化难题提供了切实可行的技术路径，而且对于未来极紫外线(EUV)光刻机所需光刻胶的前瞻性开发与技术储备起到了积极推动作用，为我国半导体产业的自主可控与全球竞争注入了强大动力。