SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产

4 月 9 日消息，据韩媒 Businesskorea 报道，SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。进入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代，1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述，为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。

三星近期在行业会议 Memcon 2024 上表示，其计划在今年年底前实现 1c nm 制程的量产;而近日据行业消息人士透露，SK 海力士内部已制定在三季度量产 1c nm DRAM 内存的路线图。SK 海力士计划提前做好准备，在 1c nm 内存通过行业验证后立即向微软、亚马逊等主要客户供货。

对于三星电子和 SK 海力士，其下代内存产品有望提升 EUV 光刻使用量，在减小线宽、提升速率同时带来更好能效;美光将在 1-gamma 纳米节点首次引入 EUV 技术，预计 2025 年量产，目前已进行了试产。台企南亚则正在研发其首代 DDR5 内存产品，有望今年推出。