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三星完成英伟达HBM3e内存验证 合作关系稳固

时间:2024-07-04 来源: 作者:keke

7月4日下午,韩国媒体Hankyung的一则最新动态指出,针对先前流传的关于三星电子未能通过英伟达HBM3e(高带宽内存)质量测试的传闻,三星方面已经公开回应,坚称这一说法并不符合事实。他们强调正在进行严格的品质评估过程。

据NewDaily消息,三星电子近日成功完成了对英伟达HBM3e内存芯片的质量控制测试,达到了产品准备批准(PRA)标准。这一成就是在三星派遣其专门负责HBM内存研发的高级管理人员赴美进行深入合作与技术交流后取得的,整个过程历时一个多月。

早些时候,今年3月份,英伟达首席执行官黄仁勋曾透露,他们已经开始对三星的HBM内存芯片进行验证。然而,5月份的报道曾提及三星的产品在发热和功耗控制方面存在问题,导致其未能通过英伟达的初步测试。然而,黄仁勋在2024年的台北国际电脑展上明确否认了这一说法,表示三星的HBM内存仍在英伟达的认证进程中。

业界观察者认为,三星急切希望与英伟达建立稳定的HBM供应关系,因为通过测试标志着其产品有可能在下半年实现显著的增长。这一积极进展反映在了股市上,三星电子的股价在7月4日当天上涨了3.6%,创下了自4月12日以来的新高。同时,作为英伟达主要HBM供应商之一的SK海力士,其股价应声下滑4.7%,这是自6月24日以来的最大单日跌幅。

这一系列事件表明,尽管市场竞争激烈,三星电子与英伟达之间的合作关系对于双方的重要性不言而喻,而三星顺利通过认证将对其业务发展产生重大影响。