三星3nm工艺稳健推进 良率问题不影响下一代芯片

在7月10日的新闻报道中，三星科技有限公司宣布了一则关键进展，确认其3纳米（3nm）工艺节点的生产和性能表现稳健。自2022年全球率先实现3纳米栅极全环绕（GAA）工艺的商业化以来，三星第二代3nm技术已经在生产过程中达到了稳定状态，并且产能已逐步爬升至预期水平。

早些时候，在6月份，一些韩语媒体曾提及三星Exynos 2500芯片的良率问题，据报道该芯片的良率暂时低于20%，这引发了关于其是否能应用于Galaxy S25系列手机的疑问。然而，三星官方今日澄清了这一情况，强调其3nm工艺项目的进度并未受此影响，且正在按照既定计划推进。

三星在与设计解决方案合作伙伴（DSP）的紧密合作中，提供了多项目晶圆（Multi-Project Wafer，MPW）服务，以支持不同客户的定制需求。今年的MPW服务项目总数达到32个，涵盖了从4纳米高性能功率半导体到BCD 130纳米等多种工艺，相较于去年增长约10%。三星计划在2025年进一步扩展至35个项目，显示了公司在晶圆代工领域的持续投资和能力提升。

值得关注的是，尽管三星在3nm工艺上的努力被外界质疑，包括良率和能效方面的挑战，但有未经证实的消息称，一些大客户如谷歌和高通可能已转向台积电来满足他们的3nm订单。同时，业界流传着三星将利用其3nm GAAFET工艺为AMD芯片的量产提供代工服务的可能性，这被视为潜在的市场策略调整。

三星的这些声明和行动表明，尽管面临竞争压力，但公司仍在积极应对技术挑战，致力于提升生产工艺，以确保其在全球半导体供应链中的竞争力。