主页 > 资讯 > 新闻 > 三星3nm工艺稳健推进 良率问题不影响下一代芯片

三星3nm工艺稳健推进 良率问题不影响下一代芯片

时间:2024-07-10 来源: 作者:起名废

在7月10日的新闻报道中,三星科技有限公司宣布了一则关键进展,确认其3纳米(3nm)工艺节点的生产和性能表现稳健。自2022年全球率先实现3纳米栅极全环绕(GAA)工艺的商业化以来,三星第二代3nm技术已经在生产过程中达到了稳定状态,并且产能已逐步爬升至预期水平。

早些时候,在6月份,一些韩语媒体曾提及三星Exynos 2500芯片的良率问题,据报道该芯片的良率暂时低于20%,这引发了关于其是否能应用于Galaxy S25系列手机的疑问。然而,三星官方今日澄清了这一情况,强调其3nm工艺项目的进度并未受此影响,且正在按照既定计划推进。

三星在与设计解决方案合作伙伴(DSP)的紧密合作中,提供了多项目晶圆(Multi-Project Wafer,MPW)服务,以支持不同客户的定制需求。今年的MPW服务项目总数达到32个,涵盖了从4纳米高性能功率半导体到BCD 130纳米等多种工艺,相较于去年增长约10%。三星计划在2025年进一步扩展至35个项目,显示了公司在晶圆代工领域的持续投资和能力提升。

值得关注的是,尽管三星在3nm工艺上的努力被外界质疑,包括良率和能效方面的挑战,但有未经证实的消息称,一些大客户如谷歌和高通可能已转向台积电来满足他们的3nm订单。同时,业界流传着三星将利用其3nm GAAFET工艺为AMD芯片的量产提供代工服务的可能性,这被视为潜在的市场策略调整。

三星的这些声明和行动表明,尽管面临竞争压力,但公司仍在积极应对技术挑战,致力于提升生产工艺,以确保其在全球半导体供应链中的竞争力。